瞻芯電子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驅(qū)動(dòng)與控制芯片選型指南
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瞻芯電子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二極管,專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,SIC二極管,通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,碳化硅功率模塊,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔離驅(qū)動(dòng)芯片,圖騰柱 PFC 控制芯片,SIC模塊,通用門(mén)驅(qū)動(dòng)器,碳化硅金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,電源管理控制芯片,SIC肖特基勢(shì)壘二極管,SIC專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器,比鄰驅(qū)動(dòng)芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q1204,充電樁,儲(chǔ)能變流器,新能源汽車(chē),數(shù)據(jù)中心,風(fēng)電,5G基站,充電樁模塊,新基建,通信電源,軌道交通,EVTOL 電動(dòng)垂直起降飛行器,光伏逆變器,儲(chǔ)能
碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片解決方案
本資料為上海瞻芯電子科技股份有限公司發(fā)布的碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片解決方案產(chǎn)品手冊(cè)。手冊(cè)介紹了瞻芯電子在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)成果，包括SiC MOSFET分立器件、SiC MOSFET晶圓、SiC SBD分立器件、SiC SBD晶圓、SiC模塊、柵極驅(qū)動(dòng)芯片和圖騰柱PFC控制芯片等產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器等領(lǐng)域，并具備車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。手冊(cè)還展示了瞻芯電子的榮譽(yù)和資質(zhì)，以及聯(lián)系方式。
瞻芯電子 - 碳化硅功率半導(dǎo)體,芯片解決方案,IV1Q06040T3,IVCR1401DR,IV1D06004F5,IV1B12013HA1L,IV2Q06025T4Z,通信與工業(yè)電源,家電,充電樁,儲(chǔ)能變流器,新能源汽車(chē),光伏逆變器,AI 服務(wù)器供電
SiC功率半導(dǎo)體和IC解決方案產(chǎn)品手冊(cè)
本資料由InventChip Technology Co., Ltd.（IVCT）提供，主要介紹其SiC功率半導(dǎo)體和IC解決方案。內(nèi)容包括公司概況、榮譽(yù)證書(shū)、應(yīng)用概述、產(chǎn)品概述等。產(chǎn)品涵蓋SiC MOSFET、SiC肖特基二極管、SiC模塊、柵極驅(qū)動(dòng)器等，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏逆變器、儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
瞻芯電子 - SIC POWER SEMICONDUCTOR,GATE DRIVERS,碳化硅肖特基二極管,SIC SCHOTTKY DIODES,控制器集成電路,SIC功率半導(dǎo)體,SIC MOSFETS,門(mén)驅(qū)動(dòng)器,SIC MOSFET,CONTROLLER ICS,IVCO1411FDWQR,IV1Q06040T3,IVCR1401DR,IV2Q06025T4Z,IV3Q12010T6Z3R,AI服務(wù)器電源,HOME APPLIANCES,家用電器,PHOTOVOLTAIC INVERTERS,充電樁,儲(chǔ)能變流器,ELECTRIC VEHICLES,ENERGY STORAGE CONVERTERS,光伏逆變器,CHARGING PILES,電動(dòng)車(chē)輛,AI SERVER POWER SUPPLY
瞻芯電子SiC MOSFET選型表
瞻芯電子提供以下參數(shù)選型：汽車(chē)級(jí)&工業(yè)級(jí)，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。
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產(chǎn)品型號(hào)
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品類(lèi)
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
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Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽車(chē)級(jí)
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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瞻芯電子SiC肖特基二極管（SBD）選型表
瞻芯電子提供以下參數(shù)選型：VRRM（V）：650V&1200V、IF（ TJ =150°C）（A）：2~40
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產(chǎn)品型號(hào)
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品類(lèi)
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Qualification
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VRRM（V）
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IF（ TJ =150°C）（A）
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IFSM（ tp=10ms）（A）
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VF（ TJ =25°C）（V）
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VF（ TJ =175°C）（V）
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IR（ TJ =25°C）（μA）
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IR（ TJ =175°C）（μA）
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QC（nC）
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Package
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IV1D06004BD
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SiC肖特基二極管
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工業(yè)級(jí)
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650V
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4A
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32A
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1.45V
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1.85V
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1.0μA
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5.0μA
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7.7nC
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Bare Die
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瞻芯電子通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片（Gate Driver）選型表
SiC 專(zhuān)用 ● 柵極驅(qū)動(dòng)芯片：比鄰驅(qū)動(dòng)，瞻芯電子提供以下參數(shù)選型：Power Switch：Si/IGBT/GaN/SiC、Channels：1~2等
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產(chǎn)品型號(hào)
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品類(lèi)
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Qualification
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Power Switch
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Channels
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Vcc（V）
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Iout（Source/Sink）
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Prop. Delay(ns)
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Package
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IVCR2402DR
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通用柵極驅(qū)動(dòng)芯片
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工業(yè)級(jí)
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Si/IGBT
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2
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24
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4 / 4
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16
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SOIC-8
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瞻芯電子推出采用SOT-227封裝的SiC模塊產(chǎn)品，助力高效、大功率工業(yè)應(yīng)用
近日，瞻芯電子推出了一系列采用SOT-227封裝的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二極管以及混合封裝產(chǎn)品。采用SOT-227封裝的產(chǎn)品具有模塊體積小、熱阻低、通流能力強(qiáng)的特點(diǎn)，同時(shí)，SOT-227為內(nèi)絕緣封裝，安裝簡(jiǎn)便，也更安全。
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰分析與抑制（上）
高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。設(shè)計(jì)可靠的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)抑制的驅(qū)動(dòng)電壓尖峰，成為發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)特性的關(guān)鍵課題。為此，我們首先測(cè)試復(fù)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)尖峰波形并分析原因，然后采取相應(yīng)措施來(lái)抑制尖峰。本篇主講第一部分：驅(qū)動(dòng)電壓尖峰復(fù)現(xiàn)與分析。
瞻芯電子榮獲思格新能源 “聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)”，攜手推動(dòng)光儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展
在與思格新能源合作中，瞻芯電子憑借碳化硅功率器件技術(shù)優(yōu)勢(shì)，助力思格新能源提升產(chǎn)品性能，為用戶帶來(lái)優(yōu)質(zhì)能源方案。特別是在光儲(chǔ)充一體機(jī)及工商業(yè)光儲(chǔ)系統(tǒng)中，瞻芯電子1200V和1700V SiC MOSFET產(chǎn)品提升了能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)能耗，保障復(fù)雜工況下設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行，為思格新能源產(chǎn)品贏得市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
【應(yīng)用】瞻芯電子20kW碳化硅三相PFC參考設(shè)計(jì)
三相PFC是一種高效率大功率無(wú)橋功率因數(shù)校正電路，本文介紹瞻芯電子的20kW碳化硅三相PFC參考設(shè)計(jì)，額定功率為20kW，使用1200V/30mΩ SiC MOSFET IV1QXXXXT3，以及專(zhuān)用碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)IC IVCR1401用于高速橋臂。
基于致能氮化鎵的1.2kW的高效率無(wú)橋圖騰柱PFC+半橋LLC通信電源解決方案
氮化鎵憑借低柵極電容(Cgs)、低等效輸出電容(Coss)、無(wú)體二極管反向恢復(fù)問(wèn)題等優(yōu)秀特點(diǎn)使得大功率CCM模式無(wú)橋圖騰柱PFC的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)成為可能。致能在本文中提供了一種峰值效率可達(dá)97%的1200W GaN無(wú)橋圖騰柱PFC+LLC通信電源性能與參數(shù)介紹，為實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率的通信電源提出一種新的解決方案。
【元件】瞻芯電子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高壓光伏逆變器系統(tǒng)
為滿足光伏、儲(chǔ)能和電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω吣蛪旱燃?jí)功率器件需要，瞻芯電子開(kāi)發(fā)2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工藝平臺(tái)。首批2款產(chǎn)品通過(guò)嚴(yán)格可靠性認(rèn)證，并正式推向市場(chǎng)。目前已有客戶導(dǎo)入新產(chǎn)品測(cè)試，進(jìn)入整機(jī)驗(yàn)證階段。
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電子商城
品牌：瞻芯電子
品類(lèi)：高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
價(jià)格：￥1.1250
現(xiàn)貨： 1,429
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品牌：瞻芯電子
品類(lèi)：單通道驅(qū)動(dòng)器
價(jià)格：￥0.7500
現(xiàn)貨： 257
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品牌：瞻芯電子
品類(lèi)：SiC Schottky Diode
價(jià)格：￥2.7500
現(xiàn)貨： 160
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