瞻芯電子 碳化硅功率模塊
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瞻芯電子推出采用SOT-227封裝的SiC模塊產(chǎn)品，助力高效、大功率工業(yè)應(yīng)用
近日，瞻芯電子推出了一系列采用SOT-227封裝的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二極管以及混合封裝產(chǎn)品。采用SOT-227封裝的產(chǎn)品具有模塊體積小、熱阻低、通流能力強的特點，同時，SOT-227為內(nèi)絕緣封裝，安裝簡便，也更安全。
瞻芯電子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驅(qū)動與控制芯片選型指南
碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品 碳化硅（SiC）MOSFET 產(chǎn)品目錄 碳化硅金屬氧化物場效應(yīng)晶體管系列產(chǎn)品 碳化硅（SiC）肖特基二極管產(chǎn)品目錄 碳化硅肖特基二極管系列產(chǎn)品 公司介紹 產(chǎn)品應(yīng)用 產(chǎn)品概覽 SiC Devices 產(chǎn)品概覽 驅(qū)動與控制芯片 柵極驅(qū)動芯片系列產(chǎn)品 圖騰柱 PFC 控制芯片系列產(chǎn)品 產(chǎn)品可靠性測試規(guī)范
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碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片解決方案
本資料為上海瞻芯電子科技股份有限公司發(fā)布的碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片解決方案產(chǎn)品手冊。手冊介紹了瞻芯電子在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)成果，包括SiC MOSFET分立器件、SiC MOSFET晶圓、SiC SBD分立器件、SiC SBD晶圓、SiC模塊、柵極驅(qū)動芯片和圖騰柱PFC控制芯片等產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、儲能變流器等領(lǐng)域，并具備車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)。手冊還展示了瞻芯電子的榮譽和資質(zhì)，以及聯(lián)系方式。
瞻芯電子 - 碳化硅功率半導(dǎo)體,芯片解決方案,IV1Q06040T3,IVCR1401DR,IV1D06004F5,IV1B12013HA1L,IV2Q06025T4Z,儲能變流器,充電樁,光伏逆變器,家電,新能源汽車,通信與工業(yè)電源,AI 服務(wù)器供電
產(chǎn)品手冊SiC功率半導(dǎo)體和IC解決方案
瞻芯電子（InventChip Technology Co., Ltd.）是一家專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體和集成電路解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商。公司成立于2017年，總部位于上海。IVCT致力于開發(fā)SiC功率器件、功率模塊、柵極驅(qū)動器和控制器IC，提供一站式芯片解決方案。公司擁有6英寸SiC MOSFET技術(shù)，并擁有汽車級SiC晶圓廠，致力于按時、高質(zhì)量地交付SiC產(chǎn)品，并追求持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新。產(chǎn)品涵蓋SiC功率器件、SiC功率模塊、柵極驅(qū)動器和控制器IC等。
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瞻芯電子1200V SiC半橋1B封裝模塊，助力高頻高效應(yīng)用
瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應(yīng)用場景，提供了高效、低成本的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試。模塊采用瞻芯電子第二代平面柵1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表現(xiàn)。
【應(yīng)用】采用開環(huán)LLC＋電流源PFC方案實現(xiàn)全碳化硅高功率密度充電樁模塊設(shè)計
國產(chǎn)碳化硅領(lǐng)先品牌瞻芯電子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驅(qū)動芯片開發(fā)了全碳化硅的充電樁模塊包括PFC和DCDC的原型設(shè)計。該參考設(shè)計的功率密度比業(yè)界主流的充電樁模塊提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充電樁模塊領(lǐng)域的巨大優(yōu)勢和潛力。
當(dāng)碳化硅遇見新能源：瞻芯電子亮相慕尼黑上海電子展，邀您共同探索高效能源轉(zhuǎn)換技術(shù)邊界
瞻芯電子已開發(fā)量產(chǎn)了650V-1700V平臺的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二極管及功率模塊產(chǎn)品，規(guī)格參數(shù)齊全，且有多種貼片、插件、模塊封裝。同時，我們還圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，開發(fā)了多種系列柵極驅(qū)動芯片，包括SiC專用驅(qū)動、通用驅(qū)動、隔離型驅(qū)動。此外，瞻芯電子首創(chuàng)了一系列CCM模擬控制芯片。
瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓模塊IV3B20023BA2，3B封裝提升系統(tǒng)功率密度
瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅（SiC）4相升壓功率模塊產(chǎn)品（IV3B20023BA2），為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試，并在光伏客戶導(dǎo)入驗證。
【應(yīng)用】單通道大電流的碳化硅驅(qū)動芯片IVCR1401助力3kW充電模塊設(shè)計，傳播延遲低至30ns
PFC電源工作原理是由AC轉(zhuǎn)DC的功率變換，在正常工作中設(shè)備會對電網(wǎng)反灌大量諧波，降低的功率因數(shù)產(chǎn)生無功功率，會對電網(wǎng)產(chǎn)生極大的污染，因此在設(shè)計PFC電源時需要考慮諧波含量等?，本文推薦國產(chǎn)瞻芯電子碳化硅驅(qū)動芯片IVCR1401助力2.5KW無橋PFC設(shè)計。
【產(chǎn)品】瞻芯電子SiC緊湊型柵極驅(qū)動IVCR1412實現(xiàn)量產(chǎn)，集成負(fù)壓和米勒效應(yīng)抑制功能
近期，瞻芯電子量產(chǎn)了一款比鄰驅(qū)動?芯片IVCR1412，這是業(yè)界第一款集成負(fù)壓和米勒效應(yīng)抑制功能，且為極緊湊SOT23-6封裝的柵極驅(qū)動芯片，可為SiC MOSFET、Si MOSFET和IGBT提供簡便、緊湊且可靠的柵極驅(qū)動解決方案。
金華市委書記朱重烈赴浙江瞻芯電子走訪調(diào)研，為瞻芯電子碳化硅功率器件項目提供政策支持和幫助
在陪同調(diào)研期間，瞻芯電子CEO張永熙博士介紹了公司的發(fā)展歷程，講解了碳化硅（SiC）材料的特性優(yōu)勢和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的功能特點，并且著重介紹了產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域。
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電子商城
品牌：瞻芯電子
品類：碳化硅肖特基二極管
價格：￥75.0000
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品牌：瞻芯電子
品類：碳化硅肖特基二極管
價格：￥25.0000
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品牌：RENESAS
品類：集成電路IC
價格：￥45.7402
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品牌：銳越微
品類：微波探測模塊
價格：￥24.4800
現(xiàn)貨：99
服務(wù)
可定制高壓電源模塊的輸入電壓100VDC-2000VDC、功率范圍5W-500W/4W-60W； 高壓輸出電源模塊的輸出電壓100VDC-2000VDC。功率范圍：4W-60W。
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可根據(jù)用戶的wifi模塊，使用無線連接測試儀MT8862A，測試IEEE802.11a/b/g/n/ac (2.4Ghz和5Ghz)設(shè)備的TX、RX射頻特征，輸出測試報告。支持到場/視頻直播測試，資深專家全程指導(dǎo)。
實驗室地址： 深圳 提交需求>