長(zhǎng)晶科技（JSCJ）分立器件/電源管理IC/頻率器件選型指南
2021/12/27 - 選型指南 長(zhǎng)晶科技 - MOSFET,充電IC,傳統(tǒng)穩(wěn)壓IC,超低功耗LDO,CRYSTAL OSCILLATORS,小信號(hào)器件,晶閘管,小信號(hào)MOS,TVS,振蕩器,數(shù)字管,RECTIFIERS,OSCILATORS,功率器件,LV MOS,SENSITIVE GATE SCRS,THYRISTOR,標(biāo)準(zhǔn)螺旋電纜,肖特基二極管,晶體管,OPERATIONAL AMPLIFIER,整流器,整流橋,頻率器件,SPXO,RCD,諧振器,三極管,SR MOSFET,直流斬波器,穩(wěn)壓管,復(fù)合管,STANDARD SCRS,SMD SEAM SEALING CRYSTAL,MEMS CRYSTAL OSCILLATORS,敏感柵可控硅,低內(nèi)阻MOS,高頻管,DC-DC,低壓MOS,SWITCH DIODES,電源管理芯片,ESD,放大器,時(shí)鐘諧振器,溫補(bǔ)振蕩器,CHARGER,SMD接縫密封晶體,高壓MOS,復(fù)位IC,靜電管,微機(jī)電工藝振蕩器,CRYSTALS,低壓差線性穩(wěn)壓器,電池保護(hù)IC,TRANSISTOR,鋰電保護(hù)MOS,DIODES,金屬罐型晶體,METAL CAN TYPE CRYSTAL,轉(zhuǎn)向叉晶體,晶振,HV MOS,靜電保護(hù)TVS,整流管,運(yùn)放,TCXO,晶體震蕩器,電源管理IC,低功耗LDO,開(kāi)關(guān)二極管,TURNING FORK CRYSTAL,雙向可控硅,晶體,POWER DEVICES,QMEMS,TVS管,LV MOSFET,RECTIFIER,FAST RECOVERY DIODE,AMP,LITHIUM BATTERY PROTECTION MOS,中壓MOS,低壓MOSFET,POWER MANAGEMENT CHIPS,晶體振蕩器,DISCRETE DEVICES,POWER MANAGEMENT IC,微機(jī)電系統(tǒng)晶體振蕩器,快恢復(fù)二極管,電池保護(hù) IC,電壓檢測(cè)器,CRYSTAL,MV MOS,VOLTAGE DETECTOR,EMI整流橋,雙極型晶體管,SBD,剛果民盟,LDO,浪涌管,靜電TVS管,TRIACS,SCHOTTKY DIODE,檢測(cè)IC,BIPOLAR TRANSISTOR,開(kāi)關(guān)管,復(fù)位/檢測(cè)IC,SMALL SIGNAL DEVICES,充電器,FREQUENCY DEVICES,鋰電池保護(hù)MOS,OSCILLATORS,MOS,磁傳感器,分立器件,金屬氧化物半導(dǎo)體,基準(zhǔn)源穩(wěn)壓IC,FRD,二極管,CJ75XXS,CESDLC3V0J4,CJ78XX,CJB120SN08,ESDBKV3V3D3,ESDI4V8FD1,CJ5123J5E,SMF170A,CJ431,CJ5123J5H,CJ5123J5I,SBDF30100TCTB,CJ432,CJU110SN04,CESD12VD5,CJ63,CONSUMER ELECTRONIC,儲(chǔ)能設(shè)備,手機(jī),消費(fèi)電子,掃地機(jī),快充適配器,電動(dòng)工具,TWS耳機(jī),掃地機(jī)器人,智能手機(jī),PD快充,電機(jī)驅(qū)動(dòng),AUTOMOTIVE ELECTRONICS,鋰電充電保護(hù)板,警察,平板電腦,INDUSTRIAL ELECTRONIC,鋰電保護(hù)板,無(wú)線充電器,工業(yè)電子,PD,消費(fèi)類(lèi)穿戴電子產(chǎn)品,PC主板,戶(hù)外電源,手機(jī)電池保護(hù)板,汽車(chē)電子,5G基站電源,工業(yè)電子學(xué)
長(zhǎng)晶科技可控硅選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供如下可控硅的技術(shù)選型:VDRM(V)范圍：+400~+800；VRRM(V)范圍：0~+800；IT(RMS)(A)范圍：+0.6~+25.....長(zhǎng)晶科技的可控硅有SOT-23、SOT-89K、TO-126、TO-126K等多種封裝形式，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē),工業(yè),電源,家電,電腦周邊,通訊,照明,醫(yī)療,新能源,電汽等領(lǐng)域。
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Status
|
VDRM(V)
|
VRRM(V)
|
IT(RMS)(A)
|
IGT Min(uA)
|
IGT Max(uA)
|
IGT@VAK(V)
|
VGT(V)
|
Package
|
|
MCR100-8_SOT-89-3L
|
可控硅
|
Active
|
600
|
600
|
0.8
|
5
|
200
|
7
|
0.8
|
SOT-89-3L
|
長(zhǎng)晶科技MOS選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供如下MOS的技術(shù)選型:VDS(V)范圍：-100~+650；VGS(V)范圍：±6~±30；ID(A)范圍：-100~+248.....長(zhǎng)晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多種封裝形式，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē),工業(yè),電源,家電,電腦周邊,通訊,照明,醫(yī)療,新能源,電汽等領(lǐng)域。
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Status
|
Type
|
Process
|
ESD(Yes/No)
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(TH)(V)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
|
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
|
RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
|
RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
|
Package
|
|
2N7000_TO-92
|
Trench MOS
|
Active
|
Single-N
|
Trench
|
No
|
60
|
-
|
0.2
|
0.8~3
|
-
|
5000
|
-
|
6000
|
TO-92
|
長(zhǎng)晶科技整流橋選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供如下整流橋的技術(shù)選型:I(AV)(A)范圍：+0.8~+35;VRRM(I=IRM)(V)范圍：+40~+1000；IFSM(A)范圍：+8~+400.....長(zhǎng)晶科技的整流橋有DFNWB3.0*3.0-4L、GBP、GBU、JBF等多種封裝形式，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē),工業(yè),電源,家電,電腦周邊,通訊,照明,醫(yī)療,新能源,電汽等領(lǐng)域。
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Status
|
I(AV)(A)
|
VRRM(I=IRM)(V)
|
IFSM(A)
|
VFM(V)
|
IRM@TA=25℃(μA)
|
Package
|
|
RMSB40M_UMSB
|
整流橋
|
Active
|
4
|
1000
|
100
|
1.3
|
5
|
UMSB
|
長(zhǎng)晶科技開(kāi)關(guān)三極管選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供如下開(kāi)關(guān)三極管的技術(shù)選型:PD(W)范圍：+0.625~+2；IC(A)范圍：+0.2~+8；BVCBO(V)范圍：+600~+700；BVCEO(V)范圍：+400~+450；BVEBO(V)范圍：+6~+9.....長(zhǎng)晶科技的開(kāi)關(guān)三極管有TO-220-3L、TO-126、TO-92、TO-126等多種封裝形式，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē),工業(yè),電源,家電,電腦周邊,通訊,照明,醫(yī)療,新能源,電汽等領(lǐng)域。
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Status
|
PD(W)
|
IC(A)
|
BVCBO(V)
|
BVCEO(V)
|
BVEBO(V)
|
HFE(min)
|
HFE(max)
|
HFE@VCE(V)
|
HFE@IC(mA)
|
VCESAT(V)
|
VCESAT@IC(mA)
|
VCESAT@IB(mA)
|
Package
|
|
3DD13001節(jié)能燈_TO-92
|
小信號(hào)開(kāi)關(guān)三極管
|
Active
|
0.625
|
0.2
|
700
|
400
|
8
|
14
|
29
|
20
|
20
|
0.4
|
50
|
10
|
TO-92
|
長(zhǎng)晶科技鋰電保護(hù)IC選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供如下鋰電保護(hù)IC的技術(shù)選型:Vshort(V)范圍：+0.8~+1.36；VDET1(V)范圍：+4.25~+4.475；VDET2(V)范圍：+2.4~+2.8；VDET3(V)范圍：+0.08~+0.16；VDET4(V)范圍：-0.16~-0.08.....SOT-23-6L封裝形式的鋰電保護(hù)IC可廣泛應(yīng)用于汽車(chē),工業(yè),電源,家電,電腦周邊,通訊,照明,醫(yī)療,新能源,電汽等領(lǐng)域。
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Status
|
VDET1(V)
|
VREL1(V)
|
VDET2(V)
|
VREL2(V)
|
VDET3(V)
|
Vshort(V)
|
Package
|
|
CJDW01A_SOT-23-6L
|
鋰電保護(hù)IC
|
Active
|
4.3
|
4.1
|
2.4
|
2.9
|
0.15
|
1.36
|
SOT-23-6L
|
長(zhǎng)晶科技穩(wěn)壓器選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供如下LDO的技術(shù)選型:VOUT(V)范圍：-15~ADJ；IOUT(mA)范圍：+100~+1000；IQ(μA/mA)范圍：-6.5mA~10mA；PSRR@1KHZ(dB)范圍：+30~+80；Accuracy(%)范圍：+0.03~+4.....長(zhǎng)晶科技的LDO有TO-220F、TO-251、DFNWB1x1-4L、SOT-223、SOT-23等多種封裝形式，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē),工業(yè),電源,家電,電腦周邊,通訊,照明,醫(yī)療,新能源,電汽等領(lǐng)域。
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Status
|
VIN min(V)
|
VIN max(V)
|
VOUT(V)
|
IOUT(mA)
|
IQ(μA/mA)
|
Vdrop(mV)
|
PSRR@1KHZ(dB)
|
Accuracy(%)
|
Package
|
|
CJ6101A18M_SOT-23-3L
|
LDO
|
Active
|
1.8
|
6
|
1.8
|
300
|
0.8μA
|
110
|
50
|
2
|
SOT-23-3L
|
長(zhǎng)晶科技運(yùn)放IC&驅(qū)動(dòng)IC選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供如下運(yùn)放IC和驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)選型:VS (V)范圍：-5~+36；Channels范圍：1~4；GBP(MHZ)范圍：+0.5~+10；CMRR(dB)范圍：+70~+100.....產(chǎn)品結(jié)構(gòu)有Integrated FET、Gate driver兩種類(lèi)型可選，具有軌到軌低功耗和通用型多種產(chǎn)品特性，長(zhǎng)晶科技的運(yùn)放IC和驅(qū)動(dòng)IC有DFNWB3×3-10L、ESOP8、MSOP8、QFNWB6x6-44L、SOP14等多種封裝形式，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē),工業(yè),電源,家電,電腦周邊,通訊,照明,醫(yī)療,新能源,電汽等領(lǐng)域。
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Status
|
VS (Min)(V)
|
VS (Max)(V)
|
Package
|
Sub Family
|
Architecture
|
Number of Full Bridge
|
Control Mode
|
Full-scale Current(A)
|
Peak Output Current(A)
|
RDS ON (HS + LS)(mΩ)
|
Sleep Current(μA)
|
Operating Temperature Range(°C)
|
Miro-stepping Levels
|
|
CJDR5958_DFNWB3×3-10L
|
驅(qū)動(dòng)IC
|
Active
|
1.8
|
6
|
DFNWB3×3-10L
|
BLDC
|
Integrated FET
|
-
|
PWM
|
0.5
|
1
|
-
|
130
|
-40 ~ 120
|
-
|
長(zhǎng)晶科技IGBT選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供如下IGBT的技術(shù)選型:VCES(V)范圍：+650~+1700；Ic@Tc=100℃(A)范圍：+6~+600；Ic@Tc=25℃(A)范圍：+12~+170；Vcesat(V)范圍：+1.5~+1.8；Eon(mJ)范圍：+0.052~+145.....具有industrial、automotive兩種Product Grade，Diode Type:SiC，長(zhǎng)晶科技的IGBT有TO-263、TO-220FA、TO-247、TO-247plus等多種封裝形式，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē),工業(yè),電源,家電,電腦周邊,通訊,照明,醫(yī)療,新能源,電汽等領(lǐng)域。
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Status
|
VCES(V)
|
Ic@Tc=100℃(A)
|
Vcesat(V)
|
Switching Frequency(KHZ)
|
Short Current Withstand Time(us)
|
Eon(mJ)
|
Eoff(mJ)
|
Configuration
|
Package
|
|
MCP75N120S2C3_C3
|
IGBT模塊
|
Active
|
1200
|
75
|
1.65
|
8~20
|
10
|
6
|
2.6
|
7-unit
|
C3
|
長(zhǎng)晶科技TVS選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供以下技術(shù)參數(shù)的TVS選型，VRWM：1.8V~36V，IR：0.01uA~40uA等
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Ppp(W)
|
VRWM(V)
|
VBRMin(V)
|
VBRMax(V)
|
IR(uA)
|
CJ(PF)
|
VC(V)
|
IPP(A)
|
|
AD-ESDBNB24VS2_SOT-23
|
TVS
|
330W
|
24V
|
27.4V
|
33.7V
|
1uA
|
36PF
|
44.7V
|
7.5A
|
長(zhǎng)晶科技LDO選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供以下技術(shù)參數(shù)的LDO選型，VIN min：1.6V~3V，VIN max：6V~65V，IOUT：100mA~1000mA等
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
VIN min(V)
|
VIN max(V)
|
VOUT(V)
|
IOUT(mA)
|
IQ(μA)
|
Vdrop(mV)
|
PSRR@1KHZ(dB)
|
Accuracy（%）
|
|
CJ6101A18M_SOT-23-3L
|
LDO
|
1.8V
|
6V
|
1.8V
|
300mA
|
0.8μA
|
110mV
|
50dB
|
2%
|
長(zhǎng)晶科技穩(wěn)壓二極管&車(chē)規(guī)級(jí)穩(wěn)壓二極管選型表
選型表 - 長(zhǎng)晶科技 長(zhǎng)晶科技提供如下穩(wěn)壓二極管的技術(shù)選型:PD(mW)范圍：+100~+5000；VZTyp(V)范圍：+1.8~+330；IZT(mA)范圍：+0.05~+380；IR(uA)范圍：+0.01~+300.....長(zhǎng)晶科技的穩(wěn)壓二極管有SOT-23、SOT-323、SMBG、SOD-123等多種封裝形式，可廣泛應(yīng)用于汽車(chē),工業(yè),電源,家電,電腦周邊,通訊,照明,醫(yī)療,新能源,電汽等領(lǐng)域。
|
產(chǎn)品型號(hào)
|
品類(lèi)
|
Status
|
PD(mW)
|
VZTyp(V)
|
VZMin(V)
|
VZMax(V)
|
IZT(mA)
|
IR(uA)
|
IR@VR(V)
|
Package
|
|
MMSZ5238CS_SOD-323
|
穩(wěn)壓二極管
|
Active
|
200
|
8.7
|
8.53
|
8.87
|
20
|
3
|
6.5
|
SOD-323
|
|
|
|
電子商城
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